pfc电路中mos管击穿的原因:过压破坏，包括栅极过压和漏极过压，过压后往往伴随过流。如果短时间内保护，那简直就是过压损坏。此时可以看到，在源的非打线区域会有小黑点，颜色可能不会很深。如果过压后没有保护然后保护会被过流损坏，芯片会在源的非打线区域大面积烧黑。
mos管的损耗与过流、过压、静电有关。
过流——持续大电流或瞬间大电流导致结温过高而烧毁。
过压-源漏过压击穿，源栅过压击穿。
静电——静电击穿，cmos电路怕静电。
mos的工作状态分为:on过程(从关到开的过渡过程)、on状态、off过程(从开到关的过渡过程)和off状态。
mos对应这些状态的主要损耗:开关损耗(导通过程和关断过程)、导通损耗、关断损耗(漏电流引起，忽略不计)、雪崩能量损耗。只要这些损耗控制在mos容差范围内，mos就会正常工作。如果超出公差范围，就会发生损坏。然而，开关损耗通常大于通态损耗，对于不同的mos，差距可能很大。
mos管击穿的原因及解决方法如下:
第一，mos管本身的输入电阻很高，栅源之间的电容很小，所以很容易被外部电磁场或静电充电，少量的电荷就能在电极之间的电容上形成相当高的电压(uq/c)，会损坏管。
虽然mos输入有防静电保护措施，但仍需小心对待。在储存和运输中，最好用金属容器或导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
在装配和调试期间，工具、仪器、工作台等。应接地良好。为防止操作人员静电干扰造成的伤害，如果不适合穿尼龙或化纤衣服，最好在接触集成块前用手或工具接触地面。当拉直、弯曲或手工焊接设备引线时，所用设备必须良好接地。。
二、mos电路输入端保护二极管的电流容差一般为1ma。当可能出现过大的瞬态输入电流(超过10ma)时，应串联输入保护电阻。还有129#没初始设计时没有加保护电阻，所以这也是mos管可能击穿的原因。因此，可以通过更换具有内部保护电阻的mos管来防止这种故障。
另外，由于保护电路吸收的瞬时能量有限，瞬时信号过大、静电电压过高都会使保护电路失效。因此，在焊接时，电烙铁必须可靠接地，以防止漏电穿透设备的输入端。一般使用时，停电后电烙铁的余热可用于焊接，电烙铁应先接地。pin。
